V−Iカーブの例


縦軸の設定を1mA/divに変えた場合を示しています。

端子に10kΩの抵抗をつないだ場合です。
軸の設定は、1[V/div], 1[mA/div]ですから、10kΩの抵抗では傾きが0.1の緩やかな直線になっています。

(縦軸0.1[mA/div]の場合はこちら)

端子に1kΩの抵抗をつないだ場合です。
軸の設定は、1[V/div], 1[mA/div]ですから、1kΩの抵抗では傾きが1の直線になっています。

(縦軸0.1[mA/div]の場合はこちら)

シリコンダイオードの1S1588をつないだ場合です。
軸の設定は、1[V/div], 1[mA/div]ですので、電流1[mA]付近の順方向電圧は約0.6[V]であることが分かります。
0.1[mA/div]の場合と比べると曲線の形は変わらず、右に少し平行移動したように見えます。 これは、この曲線が非常に理想に近い指数関数曲線であることを物語っています。

ゲルマニュームダイオードの1N60をつないだ場合です。
軸の設定は、1[V/div], 1[mA/div]です。特性曲線の上側の傾きが緩やかになっていることから、直列の抵抗成分を有していることが推測されます。

(縦軸0.1[mA/div]の場合はこちら)

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